第三代半导体为何备受瞩目？四幅图帮你轻松理解GaN和SiC的核心技术。首先，让我们区分一下三代半导体的差异：硅（Si）代表第一代，砷化镓（GaAs）属于第二代，而第三代，也被称为宽带隙半导体，主要包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）。宽带隙半导体的“带隙”是指半导体从绝缘变为导电所需的最低能量差异。硅和砷化镓的低带隙使得它们在高温、高压和高电流下表现不稳定，而第三代半导体如SiC和GaN，带隙分别高达3.2eV和3.4eV，更适应严苛环境，具有更高的能源转换效率。随着科技需求的发展，如5G、电动车对高频和高速性能的需求增加，硅和砷化镓已面临极限。第三代半导体因其高稳定性、高效率和快速散热特性，成为应对这些新挑战的热门选择。它们不仅能在高温下保持高性能，还简化了电路设计，缩小了组件尺寸。尽管有人误以为第三代半导体是从前两代技术衍生而来，实际上，这三者发展，各有侧重。GaN常用于高频产品如充电器和基站，而SiC则适用于高压电动车应用。SiC以其低损耗和高功率特性，适合绿色能源领域。然而，SiC的晶圆制造难度高，尤其是长晶技术，导致生产受限。GaN技术上虽然已有应用，但仍面临制程难题，尤其是GaN-on-SiC基板技术，主要由国际大厂如Cree和ROHM掌握。整个产业链中，从基板到封装，国际IDM厂商主导，厂商主要参与上游材料和晶圆代工。总结来说，第三代半导体，特别是SiC和GaN，因其高性能和适应新科技趋势的能力，成为市场焦点。尽管面临技术挑战，国际大厂的主导以及产业链结构，使得发展仍需时间与努力。
